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宋朝古都临安喜迎国家科技巨“芯” 助力青山湖微纳智造小镇“芯”腾飞

2018-01-19 10:52:06 来源:  作者:
摘要:卫报中文网 俞高云 杭州讯:互联网、人工智能产业的迅猛发展,全国各地区相继布局打造各种特色小镇人工智能小镇,以此来优化城市发展新局面。坐落于浙江杭州临安青山湖科技城核心

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报中文网 俞高云 杭州讯:互联网、人工智能产业的迅猛发展,全国各地区相继布局打造各种特色小镇人工智能小镇,以此来优化城市发展新局面。坐落于浙江杭州临安青山湖科技城核心区,规划总面积3.17平方公里,青山湖微纳智造小镇由青山湖科技城、中电海康集团、上海微技术工业研究院、浙江省物联网产业协会等共同打造。
据海关总署数据,中国2016年集成电路进口金额为2270.26亿美元,数据的背后是中国芯片产业短板的隐痛。
补足创新短板,浙江全力以赴。1月16日,智能传感创新应用峰会在古都杭州临安召开.“青山湖科技城作为全省创新驱动发展的重大平台,杭州城西科创大走廊的重要一极,聚焦智能传感领域,全力建设微纳智造小镇,对于临安乃至全省加快创新驱动发展具有重大的意义。” 临安区区长骆安全在致辞中表示。
论坛现场,以智能传感器及芯片设计研发、封装测试和智能传感器应用集成为产业方向的青山湖微纳智造小镇正式启动
日前,小镇已有18个项目落户。启动仪式上,国家智能传感器创新中心(筹)青山湖中心、中科院光电研究院超快激光技术研发中心、国家02专项光刻机浸液系统研制与中试基地等10个芯片相关项目首批入驻小镇举行签约仪式。
科技含量高,实际意义强,是这些项目的重要特性。现有国家02专项光刻机浸液系统研制与中试基地项目将集中力量研发浸没式光刻机的核心部件之一浸液系统。该项目有望打破国外垄断,打造拥有自主知识产权的高端光刻机设备,甚至对于我国芯片产业发展都具有重大意义。已进入到安装调试设备阶段的磁旋存储芯片研发及中试基地项目(新型存储芯片—STT-MRAM),由中电海康集团投资15亿元建设。磁旋存储器(MRAM)是一种新型高端存储器,具有读写速度快、重写次数高、掉电数据不丢失、抗辐射和抗恶劣环境能力强、能耗低等特点。项目实施后将填补我国在高端存储芯片领域的空白,有利于我国早日掌握电子信息领域核心自主技术和知识产权,促进国家网络安全和信息化战略的实施。
2017年12月,浙江省印发《浙江省新一代人工智能发展规划》,明确提出,杭州市加快建设杭州未来科技城人工智能小镇、青山湖科技城微纳智造小镇、杭州(滨江)高新区人工智能产业基地、钱江世纪城ABC产业集聚区等产业平台。
2017年12月15日,省政府与中国电子科技集团签署全面战略合作协议,明确全力支持建设青山湖微纳智造特色小镇。
青山湖微纳智造小镇的启动,也体现了浙江在创新加速度。在建设模式上,青山湖微纳智造小镇按照“一镇一院一基金多平台”的整体框架发展。“一镇”即微纳智造小镇;“一院”即智能传感器研究院杭州分院,引入国家传感器和物联网战略资源,联合浙江省物联网产业协会等本地组织,打造产业生态圈;“一基金”即多方参与设立的智能传感投资基金,引导社会资本参与小镇建设和产业发展,助力小镇引进项目和人才,加快产业集聚发展;“多平台”即建设传感技术研发孵化平台、中电海康青山湖微纳平台、传感器集成应用研发中心、微电子学院等平台。推进青山湖科技城核心产业由“云制造”向“智能传感”转变,推进云制造小镇向青山湖微纳智造小镇迭代升
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据介绍,未来,通过小镇建设,将在青山湖科技城形成百千亿级的智能传感产业;在核心区形成百亿级产业规模,辐射带动周边地区形成千亿级产业规模,打造国家级传感器与物联网产业应用示范中心、国内领先的传感器科技创新中心和长三角传感器高智人才集聚地。

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